原标题：历史性突破：IBC电池实现26.6%效率

IBC电池技术面世以来，由于成本效率较高，一直未得到广泛认可。全球目前能实现商业化生产的有☞☞ SunPower分拆出来的Maxeon Solar Technologies公司 ，中国的☞☞ 国电投黄河公司也新投产了200MW 。最近，德国的研究人员通过一种称为“Hot-Wire”化学气相沉积的沉积技术，以较低成本实现了26.6%的电池效率。

此前IBC电池的效率记录是日本化学公司和太阳能电池制造商Kaneka通过背接触异质结技术实现的的最高效率 - 26.33%。

德国研究人员正在试验的“Hot-Wire”化学气相沉积的沉积技术，据说从而可以

应用于异质结的N型微晶碳化硅

N型微晶碳化硅（μc-SiC:H（N））是一种昂贵的宽禁带材料，用作异质结电池电池底层材料被认为有优良的光电性能。但由于所需材料昂贵，而且可靠性具有挑战性，迄今为止，这项技术的应用还很有限：在太阳能电池上生长高透明n型微晶碳化硅的沉积条件往往会导致底层硅层的严重退化。

德国能源研究所（IEK-5）领导的一个国际研究小组研究了n型微晶碳化硅的Hot-Wire化学气相沉积（HWCVD）如何应用于改善IBC太阳能电池的性能。当使用Hot-Wire化学气相法沉积时，由于具有高的光学透明性和合适的折射率，降低了在陷光和反射的同时产生的吸收损耗，可以在不需要再结晶或氢化等处理的情况下提供优异的钝化效果，生产出高性能硅基薄膜或异质结电池。

发表于《Progress in Photovoltaics》的研究结果显示，“IBC正面没有焊带遮挡，能实现最大化的短路电流，晶硅太阳能电池正面的透明碳化硅/隧道二氧化硅钝化：使Jsc达到了42毫安/平方厘米，iVoc为742毫伏，电池的发电效率提高到26.6%。

改进的钝化工艺

研究人员认为，在250摄氏度，未经进一步处理的情况下，通过改进的钝化工艺，在电阻率为1.0Ωc m、厚度为170μm的双面织构掺磷直拉单晶硅片上获得了优异的钝化效果。更重要的是，这种优异的钝化工艺只需要湿化学氧化和HWCVD沉积μC SiC：H（n），因而是一个非常简单和精益的制造过程。

在玻璃基板上复合氟化镁（MgF2）、氮化硅（SiNx:H）和μc-SiC:H（n）后，加上电池正面的一层抗反射涂层，形成两层复合层。特别研制的“抗反射涂层”，其所有吸收都发生在“μc-SiC:H（n）层”中，该层在波长λ<520nm时吸收显著，研究人员称这两层的反射系数都很低，在短路电流密度下，正面的总光学损耗分别降低到0.62和0.47毫安/平方厘米。

模拟结果表明，采用低成本的硅片，可以生产出效率为25.2%的IBC电池，而如果采用高质量的c-Si硅片，可以将电池的生产效率提高到26.6%。 返回搜狐，查看更多