一 、研究所 简介

中国科学院半导体研究所 (Institute of Semiconductors, CAS)是集半导体物理、材料、器件研究及系统集成应用的国家级综合性研究所，于1960年在北京成立。半导体所现有在职职工700余人。中国科学院院士8名，中国工程院院士1名，高层次引进人才计划入选者53人，国家“WR计划”入选者17人，国家杰出青年科学基金获得者18人，“百千万人才工程”入选者8人。设有3个博士后流动站，拥有8个学术型学科专业博士和硕士培养点，拥有2个专业学位领域培养点。

中国科学院半导体研究所拥有优秀的研究队伍、科研平台和教学基地。半导体所拥有两个国家级研究中心 —国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；两个全国重点实验室——光电子材料与器件全国重点实验室、半导体芯片物理与技术全国重点实验室；一个院级实验室——中国科学院固态光电信息技术重点实验室。此外，还设有纳米光电子实验室、人工智能与高速电路实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、宽禁带半导体研发中心、光电子工程中心、半导体集成技术工程研究中心和元器件检测中心。半导体所是中国科学院大学材料科学与光电技术学院的主办单位，材料科学与工程入选国家一流学科。在相关研究领域已取得一系列重大原创性成果，近年来获得国家自然科学奖、国家科技进步奖等多项奖励，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。

二、 研究所科研条件平台

研究所构建了覆盖半导体研发制造全链条的国际一流设施和技术体系，涵盖材料仿真、分子束外延生长、纳米光刻、等离子刻蚀、先进封装及晶圆级测试等全流程能力，包括：从原子级到系统级半导体材料与器件仿真，从分子束外延到纳米级电子束光刻系统，从等离子体刻蚀系统到晶圆级先进封装，以及完备的材料表征实验室和晶圆级测试平台。研究所现有百级 /千级超净实验室总面积逾6000平方米，大型半导体设备种类齐全，可制备III-V族化合物、宽禁带以及硅基等多种先进半导体材料与器件，工作波长覆盖紫外、可见光、红外、太赫兹至微波波段，形成了“机理-设计-制造-封装-测试”五位一体的完整研发闭环，可为微电子和光电子系统提供从原型开发到小批量试制的全周期支撑。

◆ 光电子材料与器件全国重点实验室

使命定位： 面向光电子材料与器件前沿领域，聚焦异质异构集成、多维光电调控与多功能一体化等关键技术，开展前瞻性与原创性研究，构建 “产-学-研”融合科技攻关联合体，满足国家光通信领域对高端光电子材料与器件的重大需求。

特色成果： 长期深耕光电子材料与器件前沿，构建了贯穿半导体光电子 “机理-材料-芯片-器件-应用”全链条研发体系。材料体系涵盖InP、GaAs、GaSb、硅基、铁电等 Ⅲ - Ⅴ 族化合物及新型半导体材料。在半导体激光器、调制器、探测器及光子集成等核心光电子材料与器件领域长期处于国内领先、国际先进水平。目前已经形成从材料外延、器件制备、芯片集成、封装测试到系统应用的自主可控技术体系，是我国光电子材料与器件领域的核心研究单元。

联系人及联系方式：

联系人：李明 联系邮箱：[email protected]

电话： 010-82304347

◆ 半导体芯片物理与技术全国重点实验室

使命定位： 在极限尺度半导体器件的物理源头进行理论创新，突破后摩尔时代半导体芯片的物理与技术瓶颈，构建突破极限尺度半导体器件关键物理瓶颈的原创理论与技术方案，联合企业开展关键技术示范验证，为我国半导体产业的发展提供源头和底层创新支撑。

特色成果： 半导体物理领域唯一全国重点实验室，在能带理论、低维半导体、自旋器件等方面形成优势特色并做出重大历史贡献，获国家最高科学技术奖 1项、国家自然科学二等奖5项，正在建设国际半导体物理人才高地，年均经费1.2亿元

联系人：骆军委 联系邮箱：[email protected]

电话： 010-82304019

◆ 中国科学院固态光电信息技术重点实验室

使命定位： 实验室面向半导体光电领域需求，开展基础理论、新材料与高端芯片研究，突破单晶、外延、激光器、功率器件、集成电路等核心技术，构建自主创新体系，培养领军人才，推动研用协同与学科融合，为技术进步与产业升级提供科技支撑。

特色成果： 本实验室是国内唯一覆盖 GaN、GaAs、InP、InAs、GaSb、SiC和金刚石多材料体系，实现紫外至长波红外激光器的研究平台。国内率先开展光子晶体、量子级联及氮化物激光器研究，保持国际先进水平。获国家级、省部级奖励10余项，彰显了在半导体激光器领域的领先地位与贡献。

联系人：齐爱谊 邮箱：[email protected] 电话：010-82304482

三、招聘岗位

研究所诚邀半导体科学与技术相关领域，包括凝聚态物理、半导体物理、半导体器件物理、半导体材料与器件、半导体光电子学、微电子学与固体电子学、物理电子学、集成电路科学与工程、光学工程、电路与系统、电子信息、材料与化工等学科方向的优秀人才加入：

（一）优秀人才 A类岗位

1．岗位要求

（ 1）原则上年龄不超过50周岁。

（ 2）海外申请人应具有在海外知名科研机构、高校或大型企业研发机构等担任教授或相当岗位的任职经历。特别优秀或急需者，可放宽至副教授或相当岗位的任职经历。

国内申请人应具有在国内知名科研机构、高校或大型企业研发机构等担任三级（含）以上教授或相当岗位的任职经历，是国内相关领域优秀的学术技术带头人。

（ 3）引进后需全职到岗工作。

2．岗位待遇

（ 1）聘任为研究员 （正高级 编制岗位 ) 、博士生导师。 可加入建制化国家级研究团队，或独立设立课题组、研究所协助建立研究团队。

（ 2）1000-1600万元科研经费。

（ 3）提供具有国际竞争力的薪酬待遇，年薪70万元/年以上；

（ 4） 除中国科学院 2 00万元生活补贴外，研究所提供租房补贴、特殊人才津贴、住房补贴等各项津补贴以及全方位的福利保障。

（ 5） 其他支 持：提供科研所需的办公和实验用房；享受人才长租房，提供直至退休的人才长租房政策；按照相关政策解决本人及配偶、子女在京落户，及子女入托入学等。

（二）优秀人才 B类岗位

1．岗位要求

（ 1）原则上年龄不超过40周岁。

（ 2）海外申请人应具有取得博士学位后在海外知名科研机构、高校或大型企业研发机构连续不少于3年（含）的科研工作经历（在海外取得博士学位且特别优秀或急需者，海外工作年限可适当放宽）。通过国家或单位派出赴海外学习工作的，申请项目时应妥善处理与原派出单位人事和经济关系。

国内申请人（院外）应具有取得博士学位后在知名科研机构、高校或大型企业研发机构不少于 3年（含）的科研工作经历，或具有担任副教授或相当岗位的任职经历。

本所特别研究助理申请人应获得过 “特别研究助理资助项目”支持，并在我所具有不少于3年（含）的特别研究助理工作经历，且取得由院外单位颁发的博士研究生毕业证书和博士学位证书（不包含我院与院外单位联合培养博士研究生）。

（ 3）引进后需全职到岗工作。

2．岗位待遇

通过研究所招聘后全职到岗的Ｂ类岗位备案人才，可享受如下待遇：

（ 1）聘为副高一级编制岗位，享受正高四级的岗位津贴。

（ 2）100万元科研启动经费。

（ 3）提供有竞争力的薪酬待遇。

（ 4）其他支持：提供科研所需的办公和实验用房；享受人才长租房和租房补贴；按照相关政策解决本人及配偶、子女在京落户，及子女入托入学等。

通过择优正式入选中国科学院相关人才计划的Ｂ类岗位人才，可增加如下待遇：

（ 1）聘为研究员岗位（正高级编制岗位)，博士生导师，协助建立研究团队。

（ 2）300-900万元科研经费（含项目评估优秀追加200万元）。

（ 3）提供有竞争力的薪酬，年薪40万元/年以上。

（ 4） 除中国科学院 1 00万元生活补贴外，研究所提供租房补贴、特殊人才津贴、住房补贴等各项津补贴以及全方位的福利保障。

四、申请程序

（一）招聘岗位全年有效。欢迎来电来信咨询，并将个人简历、已取得的代表性成果证明材料、今后的工作计划等发送至： [email protected] ；

（二）通过答辩的申请人与半导体所签订工作意向协议书 /聘用合同，依托半导体所申报中国科学院引才计划。

五、联系方式

地址：北京市海淀区清华东路甲 35号（邮编：100083）

联系人：中国科学院半导体研究所人事教育处

吴老师 徐老师

邮箱： [email protected]

电话： 86-10-82304192，86-10-82304307

中国科学院半导体研究所

2025年04月01日