硬件基础之晶闸管_bjt导通条件

双极结型晶体管BJT

假设为NPN双极结型晶体管（BJT），集电极接电源正级，则C极和B极之间的PN结处于反向偏置状态，另一个PN结没有施加额外电源，没有处于偏置状态（无论如何外接一个电源，总有一个PN结处于反向偏置状态）

再增加一个电源，B极接电源正极，B极和E极的PN结处于正向偏置状态，两PN结的偏置电流方向一致，BJT导通

BJT总结：BJT（三极管）导通条件为“一个PN结处于正向偏置状态，另一个PN结处于反向偏置状态

晶闸管（VT）

晶闸管全称为晶体闸流管，又可称做可控硅整流器。有二极管和晶体管等半导体器件的功能，晶闸管也是一种开关器件。所有这些开关装置均由众所周知的硅半导体材料制成，晶闸管由N和P区域的4个交替层组成。

晶闸管工作

由于晶闸管的PN结结构，无论采用哪种方式外接电源，总会有至少一个反向偏置结，如下图：

最常使用的导通晶闸管的方法是“门极触发”。该方法将次级电源连接到栅极和阴极端子，随时间推移，次级电源将大量电子注入P区域。最终，P区变得充满电子，如下图：

P极的电子成为多数载流子，而变成N极，底侧的三个区域共同成为一个大N区域，此时晶闸管的结构实际上就是一个PN结二极管。外接的电源使这个新的“PN结”正向偏置，晶闸管导通。

晶闸管关闭

关闭晶闸管的方法是在晶闸管两端施加反向电压，而实现此目的的最有效方法是使用LC振荡器。如图：
在这里插入图片描述

请看图，假设三极管基极电流为1MA，三极管直流放大倍数为50，那么在三极管集电极就有50MA 电流。这时如果RL 取100Ω，那么在RL 两端分得电压5V，而另5V 就加在三极管上，这时三极管处于正常放大状态。如果RL 取300Ω呢？根据计算。在RL 上应该分得15V电压。如果电源电压超过15V，那么这个电路仍处于放大壮态。可这里电源电压只有10V，那么这10V 电压几乎全加在了电阻上，而三极管... 发射极正偏，UBE>UONU_{BE}>U_{ON}UBE>UON 集电极反偏,UCB>=0，也就是，UCE>=UBEU_{CB}>=0，也就是，U_{CE}>=U_{BE}UCB>=0，也就是，UCE>=UBE 3. BJT 交流直流都可以使用 4. 小信号模型针对的是交流电，直流电不可用使用小信号模型 5. BJT 作为开关管，工作在截止和饱和状态，而不是放大状态； 6. 饱和状态的特点：1.UCE 　　三极管是电子行业常用的元器件之一，他是一种电流型控制的器件，他有三种工作状态：截止区，放大区、饱和区。当三极管当做开关使用时，他工作在饱和区。下面简短讲解三极管作为开关使用的方法，只讲干货。　　对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。放大的原理就在于：通过小的交流输入，控... 三个区（基区/集电区/发射区），三个极（基极/集电极/发射极），两个PN结（发射结/集电结）基区：“控制区” — 掺杂浓度一般比较低，还有就是区域非常薄。集电区：“收集载流子的区域” — 收集载流子，不能有过高的载流子（不能有过高的掺杂浓度），但是面积最大。类似仓库，不能放满东西也不能太小。发射区：“发射载流子的区域” — 往外发射载流子，要有足够的载流子发射，此区域的载流子浓度最高，也就是掺杂浓度最高。三体管的作用基本共射放大电路（发射结正偏上节我们知道PN结半导体具有单相导电的性能，但是由PN结构成的各种二极管（Diode）器件的单相导电性是没办法进行主动控制的，因此这类器件也称为被动器件。与其对应的是能够被主动控制通断的器件，这类器件也可以称为主动器件。这种主动器件一般我们统称为晶体管（Tansistor），晶体管可以分为以下三类：流控器件 BJT s，压控器件FETs，混合结构IGBTs。本文主要分析 BJT （Bipolar Junction Transistors），也就是我们俗称的“三级管”器件的基本工作原理和主要参数。三极管在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用，在我们开发板上也用了多个三极管。在我们板子上的 LED 小灯部分，就有这个三极管的应用了，图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是一个 PNP 型的三极管。图 3-5 LED 电路三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用三极管的三种工作状态放大，饱和导通和截止。对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水三极管( BJT )是一种电流控制型半导体器件，由两个PN结组成，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。三极管分为NPN型和PNP型两种(NPN的应用更广泛)三极管电路符号三极管型号判别：箭头只能从P到N，所以根据箭头指向即可确定三极管是PNP型还是NPN型。三极管实物图1.三极管的三种工作状态三极管的三种状态条件三极管输入输出特性说明：理解三极管一定要始终围绕着... 1.NMOS高端驱动：MOS管可以用来控制电源的上电时序，使一端从另一端获得电流。当电路中电流很大时，由于同性能的NMOS 导通电阻小于PMOS，因此驱动电路一般采用NMOS，应用时需要确保栅极驱动电压高于源极电压。2.NMOS低端驱动：NMOS用于低端驱动时，NMOS的源极接地，只要在栅极加载一定驱动电压，就可以驱动NMOS的漏极和源极导通了。3.PMOS高端驱动：PMOS用于高端驱动时，源极接外接电源，漏极接后续负载，控制栅极电位为低电平时，PMOS 导通，PMOS具有较大的导通电阻，价格比NMOS贵。三极管在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用，在我们开发板上也用了多个三极管。在我们板子上的 LED 小灯部分，就有这个三极管的应用了，图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是一个 PNP 型的三极管。图 3-5 LED 电路三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管 Ub > Ue，通常e极接地，即Ue为0V。饱和导通是Ub > Ue（锗0.2V/硅0.7V） pnp管导通条件： Ub < Ue，通常e极接电源，即Ue>0V。饱和导通是Ub < Ue（锗0.2V/硅0.7V）。通常饱和导通直接使b极接地